Các nhà sản xuất PV năng lượng mặt trời đã chính thức bắt đầu nỗ lực để thiết lập một tiêu chuẩn kích thước wafer diện tích lớn 'M10' (182mm x 182mm p-type) mới để giảm chi phí sản xuất trong toàn bộ chuỗi cung ứng ngành công nghiệp năng lượng mặt trời liên quan khi số lượng kích thước wafer diện tích lớn đã xuất hiện trong vài năm qua.
1. Tính chất vật liệu
tài sản | quy cách | Phương pháp kiểm tra |
Phương pháp tăng trưởng | Cz | -- |
Độ tinh thể | Silicon đơn tinh thể | Kỹ thuật etch ưu đãi（ASTM F47-88） |
Loại độ dẫn điện | Loại P | Napson EC-80TPN Máy kiểm tra P /N |
Dopant | Boron/Gallium | -- |
Nồng độ oxy [Oi] | ≤9E + 17 tại /cm3 | FTIR (ASTM F121-83) |
Nồng độ carbon [Cs] | ≤ 4E + 16 tại / cm3 | FTIR（ASTM F123-91） |
Mật độ hố ETCH (mật độ trật khớp) | ≤ 500 cm-2 | Kỹ thuật etch ưu đãi（ASTM F47-88） |
Định hướng bề mặt | <100>±3° | Phương pháp nhiễu xạ tia X（ASTM F26-1987） |
Hướng của các cạnh vuông giả | <010>,<001>±3° | Phương pháp nhiễu xạ tia X（ASTM F26-1987） |
2. Tính chất điện
tài sản | quy cách | Phương pháp kiểm tra |
Điện trở suất | 0,4-1,5 Ω,cm | hệ thống kiểm tra wafer |
MCLT (Tuổi thọ tàu sân bay thiểu số) | ≥50μs | Sinton BCT-400 QSSPC / Thoáng qua (với mức tiêm: 1E15 Cm-3) |
3. Hình học
tài sản | quy cách | Phương pháp kiểm tra |
hình học | hình vuông giả | -- |
Hình cạnh vát | tròn | -- |
Chiều dài mặt Wafer | 182±0,25 mm | hệ thống kiểm tra wafer |
Đường kính Wafer | φ247±0,25 mm | hệ thống kiểm tra wafer |
Góc giữa các cạnh liền kề | 90° ± 0,2° | hệ thống kiểm tra wafer |
Độ dày | 180﹢20/﹣10 μm 175﹢20/﹣10 μm 170﹢20/﹣10 μm 160﹢20/﹣10 μm 150﹢20/﹣10 μm khác | hệ thống kiểm tra wafer |
TTV (Tổng độ dày biến thể) | ≤ 28μm | hệ thống kiểm tra wafer |
4. Tính chất bề mặt
tài sản | quy cách | Phương pháp kiểm tra |
Phương pháp cắt | Cưa dây kim cương | -- |
Chất lượng bề mặt | khi cắt và làm sạch, không có ô nhiễm có thể nhìn thấy, (dầu hoặc mỡ, dấu vân tay, vết bẩn đốm, dư lượng epoxy / keo không được phép) | hệ thống kiểm tra wafer |
Dấu cưa | ≤ 15μm | hệ thống kiểm tra wafer |
cung | ≤ 40 μm | hệ thống kiểm tra wafer |
Dọc | ≤ 40 μm | hệ thống kiểm tra wafer |
Chip | độ ≤0,3mm và chiều ≤ 0,5mm Max 2 / chiếc; không có chip V | Mắt thường hoặc hệ thống kiểm tra wafer |
Vết nứt / lỗ nhỏ | Không được phép | hệ thống kiểm tra wafer |
