Tấm đơn tinh thể loại M4 P là 161,7mm x 161,7mm.

M4 161x161

P type monocrystalline wafer 1

P type monocrystalline wafer 2

1 Tính chất vật liệu

tài sản	quy cách	Phương pháp kiểm tra
Phương pháp tăng trưởng	Cz
Độ tinh thể	Đơn tinh thể	Kỹ thuật etch ưu đãi（ASTM F47-88）
Loại độ dẫn điện	Loại P	Napson EC-80TPN P/N
Dopant	Boron (thành phố)	-
Nồng độ oxy[Oi]	≦8E+17 tại/cm³	FTIR (ASTM F121-83)
Nồng độ carbon[Cs]	≦5E + 16 tại / cm³	FTIR (ASTM F123-91)
Mật độ hố etch (mật độ trật khớp)	≦500 cm^-3	Kỹ thuật etch ưu đãi（ASTM F47-88）
Định hướng bề mặt	<100>±3°	Phương pháp nhiễu xạ tia X (ASTM F26-1987)
Hướng của các cạnh vuông giả	<010>,<001>±3°	Phương pháp nhiễu xạ tia X (ASTM F26-1987)

2 Tính chất điện

tài sản

quy cách

Phương pháp kiểm tra

Điện trở suất

0,5-1,5 Ωcm

Hệ thống kiểm tra wafer

MCLT (tuổi thọ của hãng vận chuyển thiểu số)

≧50 μs

Sinton BCT-400

(với mức tiêm: 1E15 Cm^-3)

3 hình học

4 Thuộc tính bề mặt

tài sản	quy cách	Phương pháp kiểm tra
Phương pháp cắt	Dw	--
Chất lượng bề mặt	khi cắt và làm sạch, không có ô nhiễm có thể nhìn thấy, (dầu hoặc mỡ, dấu vân tay, vết bẩn xà phòng, vết bẩn bùn, vết bẩn epoxy / keo không được phép)	hệ thống kiểm tra wafer
Cưa dấu / bước	≤ 15μm	hệ thống kiểm tra wafer
cung	≤ 40 μm	hệ thống kiểm tra wafer
Dọc	≤ 40 μm	hệ thống kiểm tra wafer
Chip	độ ≤0,3mm và chiều ≤ 0,5mm Max 2 / chiếc; không có chip V	Mắt thường hoặc hệ thống kiểm tra wafer
Vết nứt / lỗ nhỏ	Không được phép	hệ thống kiểm tra wafer

Chú phổ biến: p loại 161.7mm monocrystalline năng lượng mặt trời wafer, Trung Quốc, nhà cung cấp, nhà sản xuất, nhà máy, sản xuất tại Trung Quốc

P Loại 161.7mm Monocrystalline Năng lượng mặt trời Wafer