158.75mm Full Square Monocrystalline Solar Wafer 2

P type monocrystalline wafer 1

P type monocrystalline wafer 2

Tấm wafer năng lượng mặt trời silicon đơn tinh thể 210mmx210mm M12 có đường kính 295mm lớn hơn 80,5% so với wafer M2.

1 Tính chất vật liệu

Bất động sản	Sự chỉ rõ	Phương pháp kiểm tra
Phương pháp tăng trưởng	CZ
Kết tinh	Đơn tinh thể	Kỹ thuật khâu ưu tiên（ASTM F47-88）
Loại dẫn điện	Loại P	Napson EC-80TPN P/N
Tạp chất	Boron, Gali	-
Nồng độ oxy [Oi]	≦8E+17 at / cm³	FTIR (ASTM F121-83)
Nồng độ cacbon [Cs]	≦5E+16 at / cm³	FTIR (ASTM F123-91)
Mật độ hố rãnh (mật độ trật khớp)	≦500 cm^-3	Kỹ thuật khâu ưu tiên（ASTM F47-88）
Định hướng bề mặt	& lt; 100> ± 3 °	Phương pháp nhiễu xạ tia X (ASTM F26-1987)
Định hướng của các cạnh hình vuông giả	& lt; 010> ;,< 001=""> ± 3 °	Phương pháp nhiễu xạ tia X (ASTM F26-1987)

2 Đặc tính điện

Bất động sản

Sự chỉ rõ

Phương pháp kiểm tra

Điện trở suất

0,5-1,5 Ωcm

Hệ thống kiểm tra Wafer

MCLT (thời gian tồn tại của sóng mang thiểu số)

≧50 μs

Sinton BCT-400

(với mức tiêm: 1E15 cm^-3)

3Hình học

210mmx210mm M12 monocrystalline silicon solar wafer

4 Tính chất bề mặt

Bất động sản	Sự chỉ rõ	Phương pháp kiểm tra
Phương pháp cắt	DW	--
Chất lượng bề mặt	như được cắt và làm sạch, không có ô nhiễm nhìn thấy được, (không được phép nhìn thấy dầu hoặc mỡ, dấu tay, vết xà phòng, vết vữa, vết epoxy / keo)	hệ thống kiểm tra wafer
Các dấu / bước cưa	≤ 15µm	hệ thống kiểm tra wafer
Cây cung	≤ 40 µm	hệ thống kiểm tra wafer
Làm cong	≤ 40 µm	hệ thống kiểm tra wafer
Chip	độ sâu ≤0,3mm và chiều dài ≤ 0,5mm Tối đa 2 / chiếc; không có V-chip	Mắt khỏa thân hoặc hệ thống kiểm tra tấm wafer
Các vết nứt / lỗ nhỏ	Không cho phép	hệ thống kiểm tra wafer

Chú phổ biến: p loại tấm mỏng mặt trời đơn tinh thể 210mm, Trung Quốc, nhà cung cấp, nhà sản xuất, nhà máy sản xuất tại Trung Quốc

Wafer năng lượng mặt trời đơn tinh thể loại P 210mm