Wafer năng lượng mặt trời đơn tinh thể loại P M6

Wafer năng lượng mặt trời đơn tinh thể loại P M6

Tấm wafer mặt trời silicon đơn tinh thể loại P M6 có đường kính 223mm lớn hơn 12,21% so với wafer M2.
Share to
Gửi yêu cầu
Nói chuyện ngay
Mô tả
Thông số kỹ thuật


M6 solar wafer 2


P type monocrystalline wafer 1


P type monocrystalline wafer 2


Tấm wafer mặt trời silicon đơn tinh thể loại P M6 có chiều dài 166mm và đường kính 223mm lớn hơn 12,21% so với wafer M2. điều đó có nghĩa là pin mặt trời làm bằng chất nền M6 sẽ có sản lượng điện cao hơn 12,21% so với pin làm bằng chất nền M2.


1 Tính chất vật liệu

Bất động sản

Sự chỉ rõ

Phương pháp kiểm tra

Phương pháp tăng trưởng

CZ


Kết tinh

Đơn tinh thể

Kỹ thuật khâu ưu tiên(ASTM F47-88)

Loại dẫn điện

Loại P

Napson EC-80TPN

P/N

Tạp chất

Boron, Gali

-

Nồng độ oxy [Oi]

≦8E+17 at / cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Nồng độ cacbon [Cs]

≦5E+16 at / cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Mật độ hố rãnh (mật độ trật khớp)

≦500 cm-3

Kỹ thuật khâu ưu tiên(ASTM F47-88)

Định hướng bề mặt

& lt; 100> ± 3 °

Phương pháp nhiễu xạ tia X (ASTM F26-1987)

Định hướng của các cạnh hình vuông giả

& lt; 010> ;,< 001=""> ± 3 °

Phương pháp nhiễu xạ tia X (ASTM F26-1987)

2 Đặc tính điện

Bất động sản

Sự chỉ rõ

Phương pháp kiểm tra

Điện trở suất

0,5-1,5 Ωcm

Hệ thống kiểm tra Wafer

MCLT (thời gian tồn tại của sóng mang thiểu số)

≧50 μs

Sinton BCT-400

(với mức tiêm: 1E15 cm-3)

3Hình học

Bất động sản

Sự chỉ rõ

Phương pháp kiểm tra

Hình học

Hình vuông đầy đủ


Chiều dài bên Wafer

166 ± 0,25 mm

hệ thống kiểm tra wafer

Đường kính Wafer

φ223 ± 0,25 mm

hệ thống kiểm tra wafer

Góc giữa các mặt liền kề

90° ± 0.2°

hệ thống kiểm tra wafer

Độ dày

180﹢20/﹣10 µm;

170﹢20/﹣10 µm

hệ thống kiểm tra wafer

TTV (Tổng độ dày thay đổi)

≤27 µm

hệ thống kiểm tra wafer


166mmx166mm M6 solar wafer

4 Tính chất bề mặt

Bất động sản

Sự chỉ rõ

Phương pháp kiểm tra

Phương pháp cắt

DW

--

Chất lượng bề mặt

như được cắt và làm sạch, không có ô nhiễm nhìn thấy được, (không được phép nhìn thấy dầu hoặc mỡ, dấu tay, vết xà phòng, vết vữa, vết epoxy / keo)

hệ thống kiểm tra wafer

Các dấu / bước cưa

≤ 15µm

hệ thống kiểm tra wafer

Cây cung

≤ 40 µm

hệ thống kiểm tra wafer

Làm cong

≤ 40 µm

hệ thống kiểm tra wafer

Chip

độ sâu ≤0,3mm và chiều dài ≤ 0,5mm Tối đa 2 / chiếc; không có V-chip

Mắt khỏa thân hoặc hệ thống kiểm tra tấm wafer

Các vết nứt / lỗ nhỏ

Không cho phép

hệ thống kiểm tra wafer




Chú phổ biến: p loại p tấm mỏng năng lượng mặt trời đơn tinh thể m6, Trung Quốc, nhà cung cấp, nhà sản xuất, nhà máy sản xuất tại Trung Quốc

Gửi yêu cầu
Gửi yêu cầu